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IXFB70N60Q2
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- 制造商编号：
- IXFB70N60Q2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Q2 Class
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264™
- 规格说明书：
- IXFB70N60Q2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Q2 Class |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 88 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 265 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12000 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 890W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PLUS264™ |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 25 |
价格库存
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- 标准包装
- 25 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥313.290521 | ￥313.29 |
| 10+ | ￥288.978447 | ￥2889.78 |
