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GA100JT17-227

GeneSiC photo

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制造商编号:
GA100JT17-227
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
系列:
-
描述:
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
详细描述:
底座安装 - 1700 V 160A(Tc) 535W(Tc) SOT-227
规格说明书:
GA100JT17-227说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 GeneSiC(基因半导体公司)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 -
技术 SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss) 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 100A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 14400 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 535W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 10

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库存
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标准包装
10 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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