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SI4465ADY-T1-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

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制造商编号:
SI4465ADY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
详细描述:
表面贴装型 P 通道 8 V 13.7A(Ta),20A(Tc) 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SOIC
规格说明书:
SI4465ADY-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.7A(Ta),20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 14A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 85 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Ta),6.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥9.925719 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥19.483404 ¥19.48
10+ ¥17.531334 ¥175.31
100+ ¥14.094571 ¥1409.46
500+ ¥11.580105 ¥5790.05
1000+ ¥9.925719 ¥9925.72
2500+ ¥9.925719 ¥24814.30

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