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SI4435FDY-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI4435FDY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET® Gen III
描述:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
详细描述:
表面贴装型 P 通道 30 V 12.6A(Tc) 4.8W(Tc) 8-SOIC
规格说明书:
SI4435FDY-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET® Gen III
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1500 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 4.8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.302416 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.873959 ¥4.87
10+ ¥3.952632 ¥39.53
100+ ¥2.688884 ¥268.89
500+ ¥2.01665 ¥1008.32
1000+ ¥1.512494 ¥1512.49
2500+ ¥1.386443 ¥3466.11
5000+ ¥1.302416 ¥6512.08

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