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SISHA14DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISHA14DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 19.7A（Ta），20A（Tc） 3.57W（Ta），26.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8SH
- 规格说明书：
- SISHA14DN-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.7A（Ta），20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.1 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1450 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.57W（Ta），26.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8SH |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8SH |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.222028 | ￥5.22 |
| 10+ | ￥4.579161 | ￥45.79 |
| 100+ | ￥3.51042 | ￥351.04 |
| 500+ | ￥2.7753 | ￥1387.65 |
| 1000+ | ￥2.220244 | ￥2220.24 |
| 3000+ | ￥2.08148 | ￥6244.44 |
