您好,欢迎来到壹方微芯!

SIHU7N60E-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SIHU7N60E-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-251AA
规格说明书:
SIHU7N60E-GE3说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 680 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 78W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251AA
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IPS80R600P7AKMA1 Rochester Electronics, LLC ¥4.55557 类似
STU10NM60N STMicroelectronics ¥24.73000 类似

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
管件
单价:¥9.295884 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥9.295884 ¥27887.65

相关产品