IRL640
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 10A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 66 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1800 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 125W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRF640NPBF | Infineon Technologies | ¥9.22000 | 类似 |
IRF200B211 | Infineon Technologies | ¥9.60000 | 类似 |
FQP19N20C | onsemi | ¥13.44000 | 类似 |
STP19NF20 | STMicroelectronics | ¥11.14000 | 类似 |
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