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DMG3415UFY4Q-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMG3415UFY4Q-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
详细描述:
表面贴装型 P 通道 16 V 2.5A(Ta) 650mW(Ta) X2-DFN2015-3
规格说明书:
DMG3415UFY4Q-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 16 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 39 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 282 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 650mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X2-DFN2015-3
封装/外壳 3-XDFN
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.427273 ¥3.43
10+ ¥2.951713 ¥29.52
100+ ¥2.204608 ¥220.46
500+ ¥1.731908 ¥865.95
1000+ ¥1.338259 ¥1338.26
3000+ ¥1.2202 ¥3660.60
6000+ ¥1.141474 ¥6848.84

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