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DMN2022UNS-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMN2022UNS-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 10.7A(Ta) 1.2W 表面贴装型 PowerDI3333-8
规格说明书:
DMN2022UNS-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10.8 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1870pF @ 10V
功率 - 最大值 1.2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PowerDI3333-8
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.398784 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.204351 ¥6.20
10+ ¥5.462067 ¥54.62
100+ ¥4.185264 ¥418.53
500+ ¥3.308697 ¥1654.35
1000+ ¥2.646958 ¥2646.96
2000+ ¥2.398784 ¥4797.57

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