DMN2022UNS-7
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMN2022UNS-7
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 10.7A(Ta) 1.2W 表面贴装型 PowerDI3333-8
- 规格说明书:
- DMN2022UNS-7说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.7A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10.8 毫欧 @ 4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1870pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
标准包装 | 2,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥2.398784 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥6.204351 | ¥6.20 |
10+ | ¥5.462067 | ¥54.62 |
100+ | ¥4.185264 | ¥418.53 |
500+ | ¥3.308697 | ¥1654.35 |
1000+ | ¥2.646958 | ¥2646.96 |
2000+ | ¥2.398784 | ¥4797.57 |