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DMN2022UNS-7
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- 制造商编号：
- DMN2022UNS-7
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 20V 10.7A（Ta） 1.2W 表面贴装型 PowerDI3333-8
- 规格说明书：
- DMN2022UNS-7说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.7A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.8 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1870pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 标准包装 | 2,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.05979 | ￥5.06 |
| 10+ | ￥4.45444 | ￥44.54 |
| 100+ | ￥3.413178 | ￥341.32 |
| 500+ | ￥2.698318 | ￥1349.16 |
| 1000+ | ￥2.158655 | ￥2158.66 |
| 2000+ | ￥1.956263 | ￥3912.53 |
