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IRFH5303TR2PBF

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制造商编号:
IRFH5303TR2PBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 23A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) 8-PQFN(5x6)
规格说明书:
IRFH5303TR2PBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A(Ta),82A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 49A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2190 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.6W(Ta),46W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PQFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerVDFN
标准包装 400

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
CSD17577Q5AT Texas Instruments ¥11.52000 类似
RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor ¥8.06000 类似
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标准包装
400 / PCS
包装
卷带(TR)
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