IRFH5303TR2PBF
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- 制造商编号:
- IRFH5303TR2PBF
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 23A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) 8-PQFN(5x6)
- 规格说明书:
- IRFH5303TR2PBF说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A(Ta),82A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.2 毫欧 @ 49A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2190 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.6W(Ta),46W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 400 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
CSD17577Q5AT | Texas Instruments | ¥11.52000 | 类似 |
RQ3E180AJTB | Rohm Semiconductor | ¥8.06000 | 类似 |
CSD17310Q5A | Texas Instruments | ¥8.06000 | 类似 |
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- 包装
- 卷带(TR)
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