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BSC0901NSATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSC0901NSATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8-5
规格说明书:
BSC0901NSATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 44 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2800 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-5
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
FDMS7658AS onsemi ¥10.14000 类似
CSD16407Q5 Texas Instruments ¥14.82000 类似
RS1E280GNTB Rohm Semiconductor ¥6.37000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.131187 ¥13.13
10+ ¥11.756516 ¥117.57
100+ ¥9.168692 ¥916.87
500+ ¥7.574256 ¥3787.13
1000+ ¥6.644084 ¥6644.08
5000+ ¥6.644084 ¥33220.42

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