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IXFT24N90P

IXYS photo

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制造商编号:
IXFT24N90P
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Polar
描述:
MOSFET N-CH 900V 24A TO268
详细描述:
表面贴装型 N 通道 900 V 24A(Tc) 660W(Tc) TO-268AA
规格说明书:
IXFT24N90P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 420 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 660W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-268AA
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥106.2295 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥163.563613 ¥163.56
10+ ¥150.351702 ¥1503.52
100+ ¥126.97945 ¥12697.94
500+ ¥112.957417 ¥56478.71
1000+ ¥106.2295 ¥106229.50

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