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BSB044N08NN3GXUMA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSB044N08NN3GXUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 80 V 18A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M™
规格说明书:
BSB044N08NN3GXUMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 97µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 73 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5700 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),78W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 MG-WDSON-2,CanPAK M™
封装/外壳 3-WDSON
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥32.548951 ¥32.55
10+ ¥29.225104 ¥292.25
100+ ¥23.9468 ¥2394.68
500+ ¥20.46751 ¥10233.76
5000+ ¥20.4675 ¥102337.50

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