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SIHD180N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD180N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- E
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 19A（Tc） 156W（Tc） D-Pak
- 规格说明书：
- SIHD180N60E-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | E |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 195 毫欧 @ 9，5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1080 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥16.244161 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.746414 | ￥28.75 |
| 10+ | ￥25.772304 | ￥257.72 |
| 100+ | ￥21.117424 | ￥2111.74 |
| 500+ | ￥17.976804 | ￥8988.40 |
| 1000+ | ￥16.244161 | ￥16244.16 |
