FQB70N10TM_AM002
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- FQB70N10TM_AM002
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- QFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 100 V 57A(Tc) 3.75W(Ta),160W(Tc) D²PAK(TO-263)
- 规格说明书:
- FQB70N10TM_AM002说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | QFET® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 57A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 23 毫欧 @ 28.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3300 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.75W(Ta),160W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RSJ550N10TL | Rohm Semiconductor | ¥30.26000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |