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NTJD4158CT1G

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制造商编号:
NTJD4158CT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V,20V 250mA,880mA 270mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
规格说明书:
NTJD4158CT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA,880mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 10mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 33pF @ 5V
功率 - 最大值 270mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.508392 ¥3.51
10+ ¥2.818881 ¥28.19
100+ ¥1.918766 ¥191.88
500+ ¥1.439049 ¥719.52
1000+ ¥1.079287 ¥1079.29
3000+ ¥0.989346 ¥2968.04
6000+ ¥0.953917 ¥5723.50

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