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IRF5210STRLPBF

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IRF5210STRLPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 P 通道 100 V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
规格说明书:
IRF5210STRLPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 230 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2780 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),170W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix ¥13.67000 类似
FQB1P50TM onsemi ¥11.83000 类似
MTB50P03HDLT4G onsemi ¥36.09000 类似
NTB25P06T4G onsemi ¥18.97000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥18.052487 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥31.991576 ¥31.99
10+ ¥28.702896 ¥287.03
100+ ¥23.071235 ¥2307.12
800+ ¥18.955052 ¥15164.04
1600+ ¥18.052487 ¥28883.98

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