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BSC155N06NDATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSC155N06NDATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™-T2
描述:
TRENCH 40<-<100V
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 20A(Tc) 50W(Tc) 表面贴装型 PG-TDSON-8-4
规格说明书:
BSC155N06NDATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™-T2
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 15.5 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2250pF @ 30V
功率 - 最大值 50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-4
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.394755 ¥13.39
10+ ¥11.992412 ¥119.92
100+ ¥9.346822 ¥934.68
500+ ¥7.721483 ¥3860.74
1000+ ¥6.773183 ¥6773.18
5000+ ¥6.773183 ¥33865.92

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