PMWD26UN,518
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- 制造商编号:
- PMWD26UN,518
- 制造商:
- NXP恩智浦
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 7.8A 3.1W 表面贴装型 8-TSSOP
- 规格说明书:
- PMWD26UN,518说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | NXP(恩智浦) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1366pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | ¥7.76000 | 类似 |
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- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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