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PMWD26UN,518

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制造商编号:
PMWD26UN,518
制造商:
NXP恩智浦
系列:
TrenchMOS™
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 7.8A 3.1W 表面贴装型 8-TSSOP
规格说明书:
PMWD26UN,518说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 NXP(恩智浦)
系列 TrenchMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1366pF @ 16V
功率 - 最大值 3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 8-TSSOP
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix ¥7.76000 类似

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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
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