您好,欢迎来到壹方微芯!

NTGD4167CT1G

ON photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
NTGD4167CT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 2.6A,1.9A 900mW 表面贴装型 6-TSOP
规格说明书:
NTGD4167CT1G说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A,1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 295pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.441259 ¥4.44
10+ ¥3.815629 ¥38.16
100+ ¥2.846968 ¥284.70
500+ ¥2.236914 ¥1118.46
1000+ ¥1.728491 ¥1728.49
3000+ ¥1.617581 ¥4852.74

相关产品