您好,欢迎来到壹方微芯!

BSC112N06LDATMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
BSC112N06LDATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™-T2
描述:
TRENCH 40<-<100V
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 20A(Tc) 65W(Tc) 表面贴装型 PG-TDSON-8-4
规格说明书:
BSC112N06LDATMA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™-T2
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.2 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4020pF @ 30V
功率 - 最大值 65W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-4
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥9.768161 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.282662 ¥17.28
10+ ¥15.535746 ¥155.36
100+ ¥12.483802 ¥1248.38
500+ ¥10.256676 ¥5128.34
1000+ ¥9.768161 ¥9768.16
5000+ ¥9.768161 ¥48840.80

相关产品