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BUZ31L H
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- 制造商编号：
- BUZ31L H
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- SIPMOS®
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 200 V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3
- 规格说明书：
- BUZ31L H说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 7A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1600 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 95W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRF200B211 | Infineon Technologies | ¥9.60000 | 类似 |
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