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TSM120N06LCR RLG

Taiwan Semiconductor photo

图像仅供参考

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制造商编号:
TSM120N06LCR RLG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 54A(Tc) 69W(Tc) 8-PDFN(5x6)
规格说明书:
TSM120N06LCR RLG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 54A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 36.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2116 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 69W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PDFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
5000+ ¥1.990455 ¥9952.27

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