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IXFA3N80
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- 制造商编号：
- IXFA3N80
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263AA
- 规格说明书：
- IXFA3N80说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 685 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263AA |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB3NK60ZT4 | STMicroelectronics | ¥7.22000 | 类似 |
| IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | ¥25.73000 | 类似 |
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- 管件
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