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1N1190R

GeneSiC photo

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制造商编号:
1N1190R
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
详细描述:
二极管 标准型,反极性 600 V 35A 底座,接线柱安装 DO-5
规格说明书:
1N1190R说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 GeneSiC(基因半导体公司)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
二极管类型 标准型,反极性
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 600 V
电流 - 平均整流 (Io) 35A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.2 V @ 35 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 10 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 底座,接线柱安装
封装/外壳 DO-203AB,DO-5,接线柱
供应商器件封装 DO-5
工作温度 - 结 -65°C ~ 190°C
标准包装 100

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
100 / PCS
包装
散装
单价:¥71.356308 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
800+ ¥71.356308 ¥57085.05

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