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    PSMN2R8-80BS,118

    Nexperia photo

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    请参阅产品规格

    制造商编号：
    PSMN2R8-80BS,118
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    -
    描述：
    MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 80 V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
    规格说明书：
    PSMN2R8-80BS,118说明书
    在线客服：
    咨询客服
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 -
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 80 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 毫欧 @ 25A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 139 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9961 pF @ 40 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 306W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 D2PAK
    封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
    标准包装 800

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies ¥44.47000 类似
    IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies ¥20.85025 类似

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    800 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥30.997552 ￥31.00
    10+ ￥27.822762 ￥278.23
    100+ ￥22.796636 ￥2279.66
    800+ ￥19.406323 ￥15525.06
    1600+ ￥17.535823 ￥28057.32

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