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IPSA70R600CEAKMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPSA70R600CEAKMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
详细描述:
通孔 N 通道 700 V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
规格说明书:
IPSA70R600CEAKMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 474 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 86W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO251-3
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 1,500

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型号 品牌 参考价格 说明
STU10NM60N STMicroelectronics ¥24.50000 类似

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标准包装
1,500 / PCS
包装
管件
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阶梯 单价(含税价) 总价
1500+ ¥4.929209 ¥7393.81

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