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1N5406G R0G

Taiwan Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
1N5406G R0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
详细描述:
二极管 标准 600 V 3A 通孔 DO-201AD
规格说明书:
1N5406G R0G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 600 V
电流 - 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 3 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 25pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-201AD,轴向
供应商器件封装 DO-201AD
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
标准包装 1,250

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
UF5406-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.92000 类似
60S6-TP Micro Commercial Co ¥7.83000 类似
STTH3L06 STMicroelectronics ¥6.45000 类似
1N5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.22000 类似
GI506-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.84000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,250 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3750+ ¥1.010589 ¥3789.71

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