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APTM20DAM08TG

Microchip photo

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制造商编号:
APTM20DAM08TG
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
详细描述:
底座安装 N 通道 200 V 208A(Tc) 781W(Tc) SP4
规格说明书:
APTM20DAM08TG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 208A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 104A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 280 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 14400 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 781W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SP4
封装/外壳 SP4
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
8+ ¥976.32149 ¥7810.57

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