FDMS1D2N03DSD
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- 制造商编号:
- FDMS1D2N03DSD
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- PowerTrench®
- 描述:
- PT11N 30/12 & PT11N 30/12
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 19A(Ta),70A(Tc),37A(Ta),164A(Tc) 2.1W(Ta),26W(Tc),2.3W(Ta),42W(Tc) 表面贴装型 8-PQFN(5x6)
- 规格说明书:
- FDMS1D2N03DSD说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A(Ta),70A(Tc),37A(Ta),164A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.25 毫欧 @ 19A,10V,0.97 毫欧 @ 37A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 320µA,3V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33nC @ 10V,117nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1410pF @ 15V,4860pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.1W(Ta),26W(Tc),2.3W(Ta),42W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥14.203464 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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3000+ | ¥14.203464 | ¥42610.39 |