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GA50JT06-258

GeneSiC photo

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制造商编号:
GA50JT06-258
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
系列:
-
描述:
TRANS SJT 600V 100A TO258
详细描述:
通孔 - 600 V 100A(Tc) 769W(Tc) TO-258
规格说明书:
GA50JT06-258说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 GeneSiC(基因半导体公司)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 -
技术 SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 50A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 769W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-258
封装/外壳 TO-258-3,TO-258AA
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10+ ¥6066.33264 ¥60663.33

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