FCP125N65S3R0
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- 制造商编号:
- FCP125N65S3R0
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- SuperFET® III
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 24A(Tc) 181W(Tc) TO-220-3
- 规格说明书:
- FCP125N65S3R0说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | SuperFET® III |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 125 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 2.4mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 46 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1940 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 181W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥42.01000 | 类似 |
STP40N65M2 | STMicroelectronics | ¥43.08000 | 类似 |
TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥32.25000 | 直接 |
STP30N65M5 | STMicroelectronics | ¥52.68000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥22.337878 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥37.238542 | ¥37.24 |
10+ | ¥33.420193 | ¥334.20 |
100+ | ¥27.379467 | ¥2737.95 |
500+ | ¥23.307995 | ¥11654.00 |
1000+ | ¥22.337878 | ¥22337.88 |