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    APTGT200A60TG

    Microsemi photo

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    制造商编号：
    APTGT200A60TG
    制造商：
    Microsemi美高森美
    系列：
    -
    描述：
    IGBT MODULE 600V 290A 625W SP4
    详细描述：
    IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 600 V 290 A 625 W 底座安装 SP4
    规格说明书：
    APTGT200A60TG说明书
    在线客服：
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    服务：
    为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。

    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microsemi(美高森美)
    系列 -
    包装 散装
    零件状态 Digi-Key 停止提供
    IGBT 类型 沟槽型场截止
    配置 半桥
    电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V
    电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 290 A
    功率 - 最大值 625 W
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 1.9V @ 15V，200A
    电流 - 集电极截止（最大值） 250 µA
    不同 Vce 时输入电容 (Cies) 12.3 nF @ 25 V
    输入 标准
    NTC 热敏电阻 是
    工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 底座安装
    封装/外壳 SP4
    供应商器件封装 SP4
    标准包装 1

    价格库存

    库存
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    货期
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    标准包装
    1 / PCS
    包装
    散装
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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