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IXTA6N50D2

IXYS photo

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制造商编号:
IXTA6N50D2
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Depletion
描述:
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
详细描述:
表面贴装型 N 通道 500 V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-263AA
规格说明书:
IXTA6N50D2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Depletion
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 毫欧 @ 3A,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 96 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2800 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263AA
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 50

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STB11NK50ZT4 STMicroelectronics ¥25.88000 类似
R5011FNJTL Rohm Semiconductor ¥14.82000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥61.832866 ¥61.83
10+ ¥55.864545 ¥558.65
100+ ¥46.252059 ¥4625.21
500+ ¥40.275605 ¥20137.80
1000+ ¥35.433061 ¥35433.06

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