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APT200GN60B2G

Microchip photo

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制造商编号:
APT200GN60B2G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
IGBT 600V 283A 682W TO247
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 283 A 682 W 通孔
规格说明书:
APT200GN60B2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 283 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 600 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.85V @ 15V,200A
功率 - 最大值 682 W
开关能量 13mJ(开),11mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 1180 nC
25°C 时 Td(开/关)值 50ns/560ns
测试条件 400V,200A,1 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 1

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型号 品牌 参考价格 说明
IXXX200N60C3 IXYS ¥184.00000 类似
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管件
单价:¥236.43801 总价:¥0.00
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