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IXTA20N65X-TRL

IXYS photo

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制造商编号:
IXTA20N65X-TRL
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Ultra X
描述:
MOSFET N-CH 650V 20A TO263
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 20A(Tc) 320W(Tc) TO-263(D2Pak)
规格说明书:
IXTA20N65X-TRL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Ultra X
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 210 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1390 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 320W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263(D2Pak)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
800+ ¥45.817404 ¥36653.92

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