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FDD6N25TM
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- 制造商编号：
- FDD6N25TM
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- UniFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 250 V 4.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- FDD6N25TM说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFR220NTRLPBF | Infineon Technologies | ¥8.06000 | 类似 |
| IRFR224PBF | Vishay Siliconix | ¥13.06000 | 类似 |
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- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.474405 | ￥6.47 |
| 10+ | ￥5.671943 | ￥56.72 |
| 100+ | ￥4.350618 | ￥435.06 |
| 500+ | ￥3.439505 | ￥1719.75 |
| 1000+ | ￥2.751645 | ￥2751.64 |
| 2500+ | ￥2.735995 | ￥6839.99 |
