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IXFN44N100P

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制造商编号:
IXFN44N100P
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Polar
描述:
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
详细描述:
底座安装 N 通道 1000 V 37A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
规格说明书:
IXFN44N100P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 37A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 305 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 19000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 890W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 10

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型号 品牌 参考价格 说明
APT41F100J Microchip Technology ¥518.38000 类似

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标准包装
10 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥326.898947 ¥326.90
10+ ¥304.980625 ¥3049.81
100+ ¥264.806703 ¥26480.67

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