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NTGD3148NT1G

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制造商编号:
NTGD3148NT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 3A 900mW 表面贴装型 6-TSOP
规格说明书:
NTGD3148NT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 70 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 300pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.761228 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.873959 ¥4.87
10+ ¥4.154056 ¥41.54
100+ ¥3.09944 ¥309.94
500+ ¥2.435463 ¥1217.73
1000+ ¥1.88202 ¥1882.02
3000+ ¥1.761228 ¥5283.68

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