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FQB33N10TM

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制造商编号:
FQB33N10TM
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
FQB33N10TM说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 最后售卖
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 51 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),127W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

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型号 品牌 参考价格 说明
PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc. ¥11.52000 类似

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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.709091 ¥13.71
800+ ¥7.881916 ¥6305.53

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