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DMT3011LDT-7
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- 制造商编号：
- DMT3011LDT-7
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 30V 8A，10.7A 1.9W 表面贴装型 V-DFN3030-8（K 类）
- 规格说明书：
- DMT3011LDT-7说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A，10.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 641pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.9W |
| 工作温度 | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | V-DFN3030-8（K 类） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.554196 | ￥7.55 |
| 10+ | ￥6.681154 | ￥66.81 |
| 100+ | ￥5.120933 | ￥512.09 |
| 500+ | ￥4.048339 | ￥2024.17 |
| 1000+ | ￥3.238692 | ￥3238.69 |
| 3000+ | ￥2.935064 | ￥8805.19 |
| 6000+ | ￥2.760232 | ￥16561.39 |
