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IRLML2502GTRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRLML2502GTRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3™/SOT-23
- 规格说明书：
- IRLML2502GTRPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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