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DMN10H170SK3-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMN10H170SK3-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 12A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
规格说明书:
DMN10H170SK3-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1167 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 42W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRLR120NTRPBF Infineon Technologies ¥8.29000 类似
AUIRLR3410TRL Infineon Technologies ¥17.43000 类似
AOD2922 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.91000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.255847 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.204351 ¥6.20
10+ ¥5.462067 ¥54.62
100+ ¥4.18514 ¥418.51
500+ ¥3.308573 ¥1654.29
1000+ ¥2.646858 ¥2646.86
2500+ ¥2.398709 ¥5996.77
5000+ ¥2.255847 ¥11279.24

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