1N821A, SEL. 1% VBR
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- 制造商编号:
- 1N821A, SEL. 1% VBR
- 制造商:
- Microsemi美高森美
- 系列:
- -
- 描述:
- DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
- 详细描述:
- 二极管 - 齐纳 6.2 V 500 mW ±1% 通孔 DO-35(DO-204AH)
- 规格说明书:
- 1N821A, SEL. 1% VBR说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microsemi(美高森美) |
系列 | - |
包装 | 托盘 |
零件状态 | 在售 |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 6.2 V |
容差 | ±1% |
功率 - 最大值 | 500 mW |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2 µA @ 3 V |
工作温度 | -65°C ~ 175°C |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
供应商器件封装 | DO-35(DO-204AH) |
标准包装 | 100 |
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- 标准包装
- 100 / PCS
- 包装
- 托盘
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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