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IXBT2N250-TR

IXYS photo

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制造商编号:
IXBT2N250-TR
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
BIMOSFET™
描述:
IXBT2N250 TR
详细描述:
IGBT - 2500 V 5 A 32 W 表面贴装型 TO-268
规格说明书:
IXBT2N250-TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 BIMOSFET™
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(最大值) 2500 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 13 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 3.5V @ 15V,2A
功率 - 最大值 32 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 10.6 nC
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/70ns
测试条件 2000V,2A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 920 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
供应商器件封装 TO-268
标准包装 400

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
400 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥150.411109 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
400+ ¥150.411109 ¥60164.44

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