IXBT2N250-TR
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- 制造商编号:
- IXBT2N250-TR
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- BIMOSFET™
- 描述:
- IXBT2N250 TR
- 详细描述:
- IGBT - 2500 V 5 A 32 W 表面贴装型 TO-268
- 规格说明书:
- IXBT2N250-TR说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | BIMOSFET™ |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 2500 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 13 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 3.5V @ 15V,2A |
功率 - 最大值 | 32 W |
开关能量 | - |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 10.6 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 30ns/70ns |
测试条件 | 2000V,2A,47 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 920 ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
供应商器件封装 | TO-268 |
标准包装 | 400 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 400 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥150.411109 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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400+ | ¥150.411109 | ¥60164.44 |