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BSP295E6327

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制造商编号:
BSP295E6327
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
SIPMOS®
描述:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
规格说明书:
BSP295E6327说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 SIPMOS®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 368 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223-4
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
标准包装 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
IRLL014NTRPBF Infineon Technologies ¥6.60000 类似

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包装
卷带(TR)
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