BSP295E6327
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- 制造商编号:
- BSP295E6327
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- SIPMOS®
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
- 规格说明书:
- BSP295E6327说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 300 毫欧 @ 1.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 400µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 368 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IRLL014NTRPBF | Infineon Technologies | ¥6.60000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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