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BSM300D12P2E001

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
BSM300D12P2E001
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 300A(Tc) 1875W 底座安装 模块
规格说明书:
BSM300D12P2E001说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 68mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 35000pF @ 10V
功率 - 最大值 1875W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 4

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4 / PCS
包装
托盘
单价:¥6783.768226 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6783.768226 ¥6783.77

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