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BZT55B3V9 L1G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
BZT55B3V9 L1G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF
详细描述:
二极管 - 齐纳 3.9 V 500 mW ±2% 表面贴装型 迷你型 MELF
规格说明书:
BZT55B3V9 L1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.9 V
容差 ±2%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 85 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 10 mA
工作温度 -65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
供应商器件封装 迷你型 MELF
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
BZT55B3V9-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥2.69000 类似
TZS4686-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥2.53000 类似

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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
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