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STGP20V60F

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制造商编号:
STGP20V60F
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 40A 167W TO220AB
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 40 A 167 W 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP20V60F说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.2V @ 15V,20A
功率 - 最大值 167 W
开关能量 200µJ(开),130µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 116 nC
25°C 时 Td(开/关)值 38ns/149ns
测试条件 400V,20A,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 50

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies ¥23.58000 类似

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥12.677803 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥22.629097 ¥22.63
10+ ¥20.347537 ¥203.48
100+ ¥16.35661 ¥1635.66
500+ ¥13.438426 ¥6719.21
1000+ ¥12.677803 ¥12677.80

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