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NTLJS1102PTBG

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制造商编号:
NTLJS1102PTBG
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
详细描述:
表面贴装型 P 通道 8 V 3.7A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
规格说明书:
NTLJS1102PTBG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 36 毫欧 @ 6.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 720mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1585 pF @ 4 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-WDFN(2x2)
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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